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VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 SI2369DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià)： ￥ 52
訂  貨  量： ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：SI2369DS-T1-GE3
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他場(chǎng)效應(yīng)管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2022-09-19 13:13:14
  • 瀏覽次數(shù)：17

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1082條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2016-03-09
  • 最近登錄：2022-09-19
  • 聯(lián)系人：劉總
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY型號(hào)：SI2369DS-T1-GE3批號(hào)：20+封裝：SOT-23-3數(shù)量：30000QQ：制造商：Vishay產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：P-Channel通道數(shù)量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續(xù)漏極電流：7

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：VISHAY
型號(hào)：SI2369DS-T1-GE3
批號(hào)：20+
封裝：SOT-23-3
數(shù)量：30000
QQ：
制造商：Vishay
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-23-3
晶體管極性：P-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：30 V
Id-連續(xù)漏極電流：7.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：29 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.2 V
Qg-柵極電荷：17 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
高度：1.45 mm
長(zhǎng)度：2.9 mm
系列：SI2
晶體管類型：1 P-Channel
寬度：1.6 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：18 S
下降時(shí)間：6 ns
上升時(shí)間：4 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：38 ns
典型接通延遲時(shí)間：13 ns
單位重量：8 mg
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