| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 600V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C | 11A |
| Rds（）@ ID，VGS | 450 mOhm @ , 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 5V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 40nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 900pF @ 25V |
| 功率 - | 160W |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
| 包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包裝 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 600 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 11 A |
| RDS -于 | 450@10V mOhm |
| 門源電壓 | ±30 V |
| 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 20 ns |
| 典型上升時(shí)間 | 16 ns |
| 典型下降時(shí)間 | 15 ns |
| 工作溫度 | -65 to 150 °C |
| 安裝 | Surface Mount |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | Tape & Reel |
| 門源電壓 | ±30 |
| 包裝寬度 | (Max) |
| PCB | 2 |
| 功率耗散 | 160000 |
| 漏源電壓 | 600 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源電阻 | 450@10V |
| 每個(gè)芯片的元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度 | -65 |
| 供應(yīng)商封裝形式 | D2PAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 | D2PAK |
| 工作溫度 | 150 |
| 渠道類型 | N |
| 包裝長(zhǎng)度 | (Max) |
| 引腳數(shù) | 3 |
| 包裝高度 | (Max) |
| 連續(xù)漏極電流 | 11 |
| 封裝 | Tape and Reel |
| 標(biāo)簽 | Tab |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 160W |
| 匹配代碼 | STB11NM60FDT4 |
| R（ THJC ） | /W |
| LogicLevel | NO |
| 單位包 | 1000 |
| 標(biāo)準(zhǔn)的提前期 | 14 weeks |
| 最小起訂量 | 1000 |
| Q（克） | 40nC |
| 無(wú)鉛Defin | RoHS-conform |
| 汽車 | NO |
| 我（D ） | 11A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技術(shù) | FDmesh |
| 的RDS（on ） at10V | |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | D2PAK |
| 開態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | 450 mOhm @ , 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 160W |
| 封裝/外殼 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 900pF @ 25V |
| 其他名稱 | 497-3511-2 |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工廠包裝數(shù)量 | 1000 |
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源極擊穿電壓 | +/- 30 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 11 A |
| 正向跨導(dǎo) - 閔 | S |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 450 mOhms |
| 功率耗散 | 160 W |
| 工作溫度 | - 65 C |
| 上升時(shí)間 | 16 ns |
| 工作溫度 | + 150 C |
| 漏源擊穿電壓 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降時(shí)間 | 15 ns |
| 柵源電壓（值） | ?30 V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | ohm |
| 工作溫度范圍 | -65C to 150C |
| 包裝類型 | D2PAK |
| 極性 | N |
| 類型 | Power MOSFET |
| 元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度分類 | Military |
| 漏源導(dǎo)通電壓 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
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