| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點(diǎn) | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 40V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C | |
| Rds（）@ ID，VGS | mOhm @ , 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 3V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 49nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 2600pF @ 20V |
| 功率 - | 1W |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (, Width) |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOICN |
| 包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包裝 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 40 V |
| 連續(xù)漏極電流 | A |
| RDS -于 | @10V mOhm |
| 門(mén)源電壓 | ±20 V |
| 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 11 ns |
| 典型上升時(shí)間 | 14 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 27 ns |
| 典型下降時(shí)間 | 7 ns |
| 工作溫度 | -55 to 150 °C |
| 安裝 | Surface Mount |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | Tape & Reel |
| 門(mén)源電壓 | ±20 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 工作溫度 | 150 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 | SOIC |
| 工作溫度 | -55 |
| 渠道類型 | N |
| 封裝 | Tape and Reel |
| 漏源電阻 | @10V |
| 漏源電壓 | 40 |
| 每個(gè)芯片的元件數(shù) | 1 |
| 供應(yīng)商封裝形式 | SOIC N |
| 功率耗散 | 2500 |
| 連續(xù)漏極電流 | |
| 引腳數(shù) | 8 |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| FET特點(diǎn) | Logic Level Gate |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | (Ta) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 40V |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | 8-SOIC N |
| 開(kāi)態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | mOhm @ , 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 1W |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 2600pF @ 20V |
| 其他名稱 | FDS8447TR |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 49nC @ 10V |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC (", Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 類別 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x |
| 身高 | |
| 長(zhǎng)度 | 5mm |
| 漏源電阻 | Ω |
| 工作溫度 | +150 °C |
| 功率耗散 | W |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 包裝類型 | SOIC N |
| 典型柵極電荷@ VGS | 7 nC V @ 10 |
| 典型輸入電容@ VDS | 2000 pF V @ 20 |
| 寬度 | 4mm |
| 漏極電流（值） | A |
| 頻率（） | Not Required MHz |
| 柵源電壓（值） | ?20 V |
| 輸出功率（） | Not Required W |
| 功率耗散 | W |
| 噪聲系數(shù) | Not Required dB |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | ohm |
| 工作溫度范圍 | -55C to 150C |
| 極性 | N |
| 類型 | Power MOSFET |
| 元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度分類 | Military |
| 漏極效率 | Not Required % |
| 漏源導(dǎo)通電壓 | 40 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 連續(xù)漏極電流 | A |
| 晶體管極性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | : |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | : |
| 功耗 | :mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Current Id Max | : |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作溫度范圍 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :50A |
| 端接類型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :40V |
| Voltage Vgs Max | : |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
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