| 高度 | |
| 晶體管材料 | Si |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 長度 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 350 pF@ 25 V |
| 通道模式 | 增強 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 漏源電阻值 | 175 mΩ |
| 通道類型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 工作溫度 | +150 °C |
| 柵閾值電壓 | 4V |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 功率耗散 | 38 W |
| 柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | |
| 尺寸 | x x |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 漏源電壓 | 55 V |
| 典型接通延遲時間 | 13 ns |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 23 ns |
| 封裝類型 | IPAK |
| 連續(xù)漏極電流 | 11 A |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 55 V |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 175 mOhms |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Brand | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | - 11 A |
| Mounting Style | Through Hole |
| Height | mm |
| Packaging | Tube |
| Width | mm |
| Length | mm |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | nC |
| Pd - Power Dissipation | 38 W |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Technology | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
FU9024N IRFU9024N TO251 原裝現(xiàn)貨供應(yīng)MOS管
產(chǎn)品二維碼| 參 考 價: | 面議 |
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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