產品簡介
RohsLeadfree/RoHSCompliant標準包裝4,000FET型MOSFETN-Channel,MetalOxideFET特點Standard漏極至源極電壓（VDSS）30V電流-連續(xù)漏極（編號）@25°C8.3ARds（）@ID
詳情介紹
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 標準包裝 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點 | Standard |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 30V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C | |
| Rds（）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 7A, |
| VGS（TH）（）@ Id | 1V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 17nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - | |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (, Width) |
| 供應商器件封裝 | 8-SO |
| 包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包裝 | 8SOIC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 30 V |
| 連續(xù)漏極電流 | A |
| RDS -于 | 25@ mOhm |
| 門源電壓 | ±12 V |
| 典型導通延遲時間 | 12 ns |
| 典型上升時間 | 17 ns |
| 典型關閉延遲時間 | 25 ns |
| 典型下降時間 | 6 ns |
| 工作溫度 | -55 to 150 °C |
| 安裝 | Surface Mount |
| 標準包裝 | Tape & Reel |
| 門源電壓 | ±12 |
| 包裝寬度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 功率耗散 | 2500 |
| 漏源電壓 | 30 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源電阻 | 25@ |
| 每個芯片的元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度 | -55 |
| 供應商封裝形式 | SOIC |
| 標準包裝名稱 | SOIC |
| 工作溫度 | 150 |
| 渠道類型 | N |
| 包裝長度 | 5(Max) |
| 引腳數(shù) | 8 |
| 包裝高度 | (Max) |
| 連續(xù)漏極電流 | |
| 封裝 | Tape and Reel |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| FET特點 | Standard |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | (Ta) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 供應商設備封裝 | 8-SO |
| 開態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 7A, |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 5V |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC (", Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名稱 | IRF7807ATRPBFCT |
| 工廠包裝數(shù)量 | 4000 |
| 配置 | Single |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 連續(xù)漏極電流 | A |
| 安裝風格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 25 mOhms |
| 功率耗散 | W |
| 封裝/外殼 | SO-8 |
| 柵極電荷Qg | 17 nC |
| 上升時間 | 17 ns |
| 工作溫度 | + 150 C |
| 漏源擊穿電壓 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降時間 | 6 ns |
| 柵源電壓（值） | ?12 V |
| 漏源導通電阻 | ohm |
| 工作溫度范圍 | -55C to 150C |
| 包裝類型 | SOIC |
| 極性 | N |
| 類型 | Power MOSFET |
| 元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度分類 | Military |
| 漏源導通電壓 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
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