產品簡介
安裝類型通孔晶體管材料Si類別功率MOSFET長度10
詳情介紹
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管材料 | Si |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 長度 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 2370 pF @ 25 V |
| 系列 | HEXFET |
| 通道模式 | 增強 |
| 高度 | |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 漏源電阻值 | 80 mΩ |
| 柵閾值電壓 | |
| Board Level Components | Y |
| 工作溫度 | +175 °C |
| 通道類型 | N |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 功率耗散 | 200 W |
| 柵源電壓 | ±30 V |
| 寬度 | |
| 尺寸 | x x |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 漏源電壓 | 200 V |
| 典型接通延遲時間 | 16 ns |
| 典型關斷延遲時間 | 26 ns |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 連續(xù)漏極電流 | 31 A |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 工廠包裝數量 | 550 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | V |
| Qg - Gate Charge | 70 nC |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 下降時間 | 10 ns |
| 封裝 | Tube |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道數 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 工作溫度 | + 175 C |
| 晶體管類型 | 1 N-Channel |
| 正向跨導 - 閔 | 17 S |
| Id - Continuous Drain Current | 31 A |
| 長度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 82 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型關閉延遲時間 | 26 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | mm |
| 安裝風格 | Through Hole |
| 典型導通延遲時間 | 16 ns |
| 工作溫度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| 上升時間 | 38 ns |
| 技術 | Si |
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