產(chǎn)品簡介
標準包裝2,000FET型MOSFETP-Channel,MetalOxideFET特點LogicLevelGate漏極至源極電壓（VDSS）40V電流-連續(xù)漏極（編號）@25°C50ARds（）@ID
詳情介紹
| 標準包裝 | 2,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特點 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 40V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C | 50A |
| Rds（）@ ID，VGS | mOhm @ 24A, 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 3V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 150nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 4800pF @ 25V |
| 功率 - | 3W |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供應商器件封裝 | TO-252, (D-Pak) |
| 包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包裝 | 3DPAK |
| 渠道類型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 40 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 50 A |
| RDS -于 | @10V mOhm |
| 門源電壓 | ±20 V |
| 典型導通延遲時間 | 10 ns |
| 典型上升時間 | 60 ns |
| 典型關閉延遲時間 | 145 ns |
| 典型下降時間 | 140 ns |
| 工作溫度 | -55 to 175 °C |
| 安裝 | Surface Mount |
| 標準包裝 | Rail / Tube |
| 標準包裝 | Tape & Reel |
| 門源電壓 | ±20 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 工作溫度 | 175 |
| 標準包裝名稱 | DPAK |
| 工作溫度 | -55 |
| 漏源電阻 | @10V |
| 漏源電壓 | 40 |
| 每個芯片的元件數(shù) | 1 |
| 供應商封裝形式 | DPAK |
| 功率耗散 | 3000 |
| 連續(xù)漏極電流 | 50 |
| 引腳數(shù) | 3 |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 136W |
| 匹配代碼 | SUD50P04-09L-E3 |
| R（ THJC ） | /W |
| LogicLevel | YES |
| 單位包 | 2000 |
| 標準的提前期 | 26 weeks |
| 最小起訂量 | 2000 |
| Q（克） | 150nC |
| LLRDS （上） | |
| 汽車 | NO |
| LLRDS （上）在 | -4,5V |
| 我（D ） | -50A |
| V（ DS ） | -40V |
| 技術 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | |
| 無鉛Defin | RoHS-conform |
| FET特點 | Logic Level Gate |
| 封裝 | Tape & Reel (TR) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 40V |
| 供應商設備封裝 | TO-252, (D-Pak) |
| 開態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | mOhm @ 24A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 3W |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| 封裝/外殼 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名稱 | SUD50P04-09L-E3CT |
| 工廠包裝數(shù)量 | 2000 |
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET |
| 晶體管極性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源極擊穿電壓 | +/- 20 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 50 A |
| 正向跨導 - 閔 | 73 S |
| 安裝風格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | mOhms |
| 功率耗散 | 136 W |
| 工作溫度 | - 55 C |
| 封裝/外殼 | TO-252-3 |
| 上升時間 | 60 ns |
| 工作溫度 | + 175 C |
| 漏源擊穿電壓 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降時間 | 140 ns |
| 柵源電壓（值） | ?20 V |
| 漏源導通電阻 | ohm |
| 工作溫度范圍 | -55C to 175C |
| 包裝類型 | DPAK |
| 極性 | P |
| 類型 | Power MOSFET |
| 元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度分類 | Military |
| 漏源導通電壓 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :-50A |
| Drain Source Voltage Vds | :-40V |
| On Resistance Rds(on) | :7500µohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1V |
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