標準包裝 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(VDSS) | 100V |
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C | 57A |
Rds()@ ID,VGS | 23 mOhm @ 28A, 10V |
VGS(TH)()@ Id | 4V @ 250µA |
柵極電荷(Qg)@ VGS | 130nC @ 10V |
輸入電容(Ciss)@ Vds的 | 3130pF @ 25V |
功率 - | 200W |
安裝類型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
包裝材料 | Tube |
包裝 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
漏源電壓 | 100 V |
連續(xù)漏極電流 | 57 A |
RDS -于 | 23@10V mOhm |
門源電壓 | ±20 V |
典型導通延遲時間 | 12 ns |
典型上升時間 | 58 ns |
典型關(guān)閉延遲時間 | 45 ns |
典型下降時間 | 47 ns |
工作溫度 | -55 to 175 °C |
安裝 | Through Hole |
標準包裝 | Rail / Tube |
門源電壓 | ±20 |
歐盟RoHS指令 | Compliant |
工作溫度 | 175 |
標準包裝名稱 | TO-220 |
工作溫度 | -55 |
渠道類型 | N |
漏源電阻 | 23@10V |
漏源電壓 | 100 |
每個芯片的元件數(shù) | 1 |
供應(yīng)商封裝形式 | TO-220AB |
功率耗散 | 200000 |
連續(xù)漏極電流 | 57 |
引腳數(shù) | 3 |
鉛形狀 | Through Hole |
FET特點 | Standard |
封裝 | Tube |
安裝類型 | Through Hole |
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C | 57A (Tc) |
的Vgs(th ) ()@ Id | 4V @ 250µA |
漏極至源極電壓(Vdss) | 100V |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 | TO-220AB |
開態(tài)Rds()@ Id ,V GS | 23 mOhm @ 28A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 200W |
輸入電容(Ciss ) @ VDS | 3130pF @ 25V |
其他名稱 | *IRF3710PBF |
閘電荷(Qg ) @ VGS | 130nC @ 10V |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
類別 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | x x |
身高 | |
長度 | mm |
漏源電阻 | Ω |
工作溫度 | +175 °C |
功率耗散 | 200 W |
工作溫度 | -55 °C |
包裝類型 | TO-220AB |
典型柵極電荷@ VGS | 130 nC V @ 10 |
典型輸入電容@ VDS | 3130 pF V @ 25 |
寬度 | mm |
工廠包裝數(shù)量 | 50 |
晶體管極性 | N-Channel |
源極擊穿電壓 | 20 V |
連續(xù)漏極電流 | 57 A |
安裝風格 | Through Hole |
功率耗散 | 200 W |
封裝/外殼 | TO-220AB |
漏源擊穿電壓 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
柵極電荷Qg | nC |
漏極電流(值) | 57 A |
頻率() | Not Required MHz |
柵源電壓(值) | ?20 V |
輸出功率() | Not Required W |
噪聲系數(shù) | Not Required dB |
漏源導通電阻 | ohm |
工作溫度范圍 | -55C to 175C |
極性 | N |
類型 | Power MOSFET |
元件數(shù) | 1 |
工作溫度分類 | Military |
漏極效率 | Not Required % |
漏源導通電壓 | 100 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
刪除 | Compliant |
Continuous Drain Current Id | :46A |
Drain Source Voltage Vds | :100V |
On Resistance Rds(on) | :28mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :150W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TO-220AB |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Current Id Max | :57A |
Current Temperature | :25°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Junction to Case Thermal Resistance A | :°C/W |
引線間距 | : |
No. of Transistors | :1 |
工作溫度范圍 | :-55°C to +175°C |
引腳配置 | :a |
Pin Format | :1 g |
Pulse Current Idm | :180A |
端接類型 | :Through Hole |
Voltage Vds Typ | :100V |
Voltage Vgs Max | :4V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
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