| 工廠包裝數(shù)量 | 250 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 封裝/外殼 | VSONP-8 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | V |
| Qg - Gate Charge | nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降時(shí)間 | 4 ns |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 通道數(shù) | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 工作溫度 | + 150 C |
| 晶體管類型 | 1 N-Channel |
| 正向跨導(dǎo) - 閔 | 40 S |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| 長度 | mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 8 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | CSD18543Q3A |
| 身高 | mm |
| 封裝 | Reel |
| 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 9 ns |
| 工作溫度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 66 W |
| 上升時(shí)間 | 18 ns |
| 技術(shù) | Si |
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