| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管材料 | Si |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 長度 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 1300 pF@ 25 V |
| 系列 | HEXFET |
| 通道模式 | 增強 |
| 高度 | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 漏源電阻值 | 117 mΩ |
| 柵閾值電壓 | 4V |
| Board Level Components | Y |
| 工作溫度 | +175 °C |
| 通道類型 | P |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 功率耗散 | 140 W |
| 柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | |
| 尺寸 | x x |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 漏源電壓 | 100 V |
| 典型接通延遲時間 | 15 ns |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 51 ns |
| 封裝類型 | TO-247AC |
| 連續(xù)漏極電流 | 23 A |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 117 mOhms |
| 工廠包裝數(shù)量 | 575 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 100 V |
| 晶體管類型 | 1 P-Channel |
| Qg - Gate Charge | nC |
| 晶體管極性 | P-Channel |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | - 21 A |
| 封裝 | Tube |
| 身高 | mm |
| 安裝風格 | Through Hole |
| 長度 | mm |
| 通道數(shù) | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 120 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 封裝/外殼 | TO-247-3 |
| 技術(shù) | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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