| 標準包裝 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點 | Standard |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 600V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C | |
| Rds（）@ ID，VGS | Ohm @ , 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 4V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 42nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 1036pF @ 25V |
| 功率 - | 125W |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供應商器件封裝 | TO-220AB |
| 包裝材料 | Tube |
| 包裝 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 600 V |
| 連續(xù)漏極電流 | A |
| RDS -于 | 1200@10V mOhm |
| 門源電壓 | ±30 V |
| 典型導通延遲時間 | 13 ns |
| 典型上升時間 | 23 ns |
| 典型關閉延遲時間 | 31 ns |
| 典型下降時間 | 18 ns |
| 工作溫度 | -55 to 150 °C |
| 安裝 | Through Hole |
| 標準包裝 | Rail / Tube |
| 門源電壓 | ±30 |
| 包裝寬度 | (Max) |
| PCB | 3 |
| 功率耗散 | 125000 |
| 漏源電壓 | 600 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源電阻 | 1200@10V |
| 每個芯片的元件數 | 1 |
| 工作溫度 | -55 |
| 供應商封裝形式 | TO-220AB |
| 標準包裝名稱 | TO-220 |
| 工作溫度 | 150 |
| 渠道類型 | N |
| 包裝長度 | (Max) |
| 引腳數 | 3 |
| 包裝高度 | (Max) |
| 連續(xù)漏極電流 | |
| 標簽 | Tab |
| 鉛形狀 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 125W |
| 匹配代碼 | IRFBC40APBF |
| R（ THJC ） | /W |
| LogicLevel | NO |
| 單位包 | 50 |
| 標準的提前期 | 14 weeks |
| 最小起訂量 | 1000 |
| Q（克） | 42nC |
| 無鉛Defin | RoHS-conform |
| 汽車 | NO |
| 我（D ） | |
| V（ DS ） | 600V |
| 技術 | HighV. |
| 的RDS（on ） at10V | Ohm |
| FET特點 | Standard |
| 封裝 | Tube |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | (Tc) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝 | TO-220AB |
| 其他名稱 | *IRFBC40APBF |
| 開態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | Ohm @ , 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 125W |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 1036pF @ 25V |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 42nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 類別 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | x x mm |
| 身高 | mm |
| 長度 | mm |
| 漏源電阻 | Ω |
| 工作溫度 | +150 °C |
| 功率耗散 | 125 W |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 包裝類型 | TO-220AB |
| 典型柵極電荷@ VGS | 42 nC V @ 10 |
| 典型輸入電容@ VDS | 1036 pF V @ 25 |
| 寬度 | mm |
| 工廠包裝數量 | 1000 |
| 產品種類 | MOSFET |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 源極擊穿電壓 | +/- 30 V |
| 連續(xù)漏極電流 | A |
| 安裝風格 | Through Hole |
| RDS（ON） | Ohms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 上升時間 | 23 ns |
| 漏源擊穿電壓 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降時間 | 18 ns |
| 漏極電流（值） | A |
| 頻率（） | Not Required MHz |
| 柵源電壓（值） | ?30 V |
| 輸出功率（） | Not Required W |
| 噪聲系數 | Not Required dB |
| 漏源導通電阻 | ohm |
| 工作溫度范圍 | -55C to 150C |
| 極性 | N |
| 類型 | Power MOSFET |
| 元件數 | 1 |
| 工作溫度分類 | Military |
| 漏極效率 | Not Required % |
| 漏源導通電壓 | 600 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 刪除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | : |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :125W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| Current Id Max | : |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :°C/W |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作溫度范圍 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :25A |
| 端接類型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :600V |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
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