本芯片采用硅外延工藝制造,具有高功率增益、低噪聲系數(shù)、較寬的轉(zhuǎn)
換頻率、低漏電流特性,具有較高的可靠性;
主要應(yīng)用于超高頻微波、VHF、UHF和CATV高頻寬帶低噪聲放大器
中,如電視機(jī)頂盒、調(diào)諧器、CATV放大器、模擬數(shù)字無(wú)繩電話、
射頻模塊和光纖傳輸中的中繼放大器等產(chǎn)品;
集電極-發(fā)射極擊穿電壓:BVCEO=15V,集電極電
流:IC=120mA,集電極耗散功率:PC=400mW,特征頻率:fT=9GHz;
地址:深圳市福田區(qū)中航路新亞洲電子城一期2A168柜臺(tái)
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聯(lián)系人:周小姐/黃小姐
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