本芯片采用硅外延工藝制造,具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低
漏電流、小結(jié)電容特性,較大的動(dòng)態(tài)范圍,理想的電流線性;
主要應(yīng)用于超高頻微波、VHF、UHF和CATV高頻寬帶低噪聲放大器中,
如電視調(diào)諧器、接收器、CATV視頻放大器、模擬數(shù)字無(wú)繩電話、雷
達(dá)感應(yīng)開關(guān)、光纖射頻模塊和光纖傳輸中的中繼放大器等產(chǎn)品;
集電極-基極擊穿電壓:BVCEO=15V,集電極電流:IC=70mA,耗散功
率:PC=300mW,特征頻率:fT=9GHz;
地址:深圳市福田區(qū)中航路新亞洲電子城一期2A168柜臺(tái)
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聯(lián)系人:周小姐/黃小姐
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