封裝形式：SOT343,本體印字：N8t。
本芯片采用硅外延工藝制造，具有高功率增益、低噪聲系數、較寬的轉換
頻率、低漏電流、金材質引出結構，具有較高的可靠性；
主要應用于超高頻微波信號放大、高頻寬帶低噪聲放大器中的視頻放大，
如電視機頂盒、調諧器、CATV放大器、模擬數字無繩電話、射頻模塊
和光纖傳輸中的中繼放大器等產品中；
集電極-發(fā)射極擊穿電壓：BVCEO=12V，集電極電流：IC=120mA,集電極耗散功率：PC=500mW，特征頻率：fT=9GHz；
地址：深圳市福田區(qū)中航路新亞洲電子城一期2A168柜臺
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聯(lián)系人：周小姐/黃小姐
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