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TOSHIBA/東芝-TB67S109AFNAG 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器芯片IC-HSSOP36-2021+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:TB67S109AFNAG
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:驅(qū)動器IC
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-03-15 20:00:12
  • 瀏覽次數(shù):9

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北京芯時代電子科技發(fā)展有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1135條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-03-15
  • 最近登錄:2023-03-15
  • 聯(lián)系人:陳仲春
產(chǎn)品簡介

TB67S109AFNAGA4988中文資料a4988模塊中文資料a4988驅(qū)動模塊a4988中文資料bd9488f驅(qū)動芯片電路圖A4988驅(qū)動A4988說明a4988驅(qū)動中文資料DRV8824DRV8825步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動芯片TOSHIBABiCD集成電路硅單片CLOCK-in控制雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器TB67S109AFNAG是使用PWM斬波器的兩相雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器

詳情介紹


TB67S109AFNAG


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TOSHIBA BiCD集成電路硅單片


CLOCK-in控制雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器


TB67S109AFNAG是使用PWM斬波器的兩相雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。


中的時鐘內(nèi)置。采用BiCD工藝制造,額定值為50 V / A




特性:


·BiCD工藝集成單片IC。


·可控制1個雙極步進(jìn)電機(jī)。 ·PWM控制恒流驅(qū)動。


·允許完整,半,四分之一,1/8,1/16,1/32步進(jìn)操作。


·低導(dǎo)通電阻(高+低邊=Ω(典型值))MOSFET輸出級。


·高效電機(jī)電流控制機(jī)制(高級動態(tài)混合衰減)


·高電壓和電流(有關(guān)規(guī)格,請參考額定值和工作范圍)


·錯誤檢測(TSD / ISD)信號輸出功能


·內(nèi)置錯誤檢測電路(熱關(guān)斷(TSD),過流關(guān)斷(ISD)和上電復(fù)位(POR))


·內(nèi)置VCC調(diào)節(jié)器,用于內(nèi)部電路使用。


·電機(jī)的斬波頻率可以通過外部電阻和電容器定制。


·封裝:TB67S109AFNAG:HSSOP36


注)使用時請注意散熱條件






拓展應(yīng)用電路,在應(yīng)用中根據(jù)需要增加功能。




用來實現(xiàn)降低鎖相電路,從而降低驅(qū)動芯片的鎖相功耗,具體應(yīng)用電路如下圖:


圖1



圖1,左、右兩方框電路用來設(shè)置參考電壓。當(dāng)VCC=5V,DOWNVCC,兩方框生成的分壓值相等?!‘?dāng)DOWN=L(GND),參考電壓會降低一半。具體看下面仿真圖中的數(shù)據(jù)差異:




圖2 圖3


圖2、圖3中的S1可以用推挽輸出端口代替,比如74LVC245、MCU等等,只要高電平與VCC大約相等?!∵@樣就可以通過其它器件來實現(xiàn)半流鎖相。注:推挽端口輸出狀態(tài)只有高電平、低電平兩種。若是端口是開路輸出的,相應(yīng)要調(diào)整電阻參數(shù)。



圖4


使用74HC123實現(xiàn)的自動半流鎖相電路



待機(jī)功能的單端口控制(ST的作用1是實現(xiàn)待機(jī)控制。作用2是讓芯片從保護(hù)狀態(tài)中恢復(fù)正常工作)




芯片的待機(jī)(ST)功能整合在細(xì)分表中,只能通過細(xì)分設(shè)置端來選擇ST功能。


上面是兩種簡化實現(xiàn)單端口控制ST的電路





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