技術(shù)參數(shù)
品牌: | TOSHIBA/東芝 |
型號(hào): | TK12P60W,RVQ(S |
批號(hào): | 19+ |
封裝: | DPAK |
數(shù)量: | 30000 |
QQ: | |
描述: | MOSFET N-CH 600V 12A DPAK |
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況: | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS2)規(guī)范要求 |
濕氣敏感性等級(jí) (MSL): | 1(無限) |
詳細(xì)描述: | 表面貼裝型-N-通道-(Ta)-100W(Tc)-DPAK |
數(shù)據(jù)列表: | TK12P60W; |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 2,000 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
零件狀態(tài): | 有源 |
類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
產(chǎn)品族: | 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) |
系列: | DTMOSIV |
其它名稱: | TK12P60WRVQ(S |
FET 類型: | N 通道 |
技術(shù): | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss): | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): | (Ta) |
驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(值): | 340 毫歐 @ ,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(值): | @ 600µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(值): | 25nC @ 10V |
Vgs(值): | ±30V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(值): | 890pF @ 300V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 100W(Tc) |
工作溫度: | 150°C |
安裝類型: | 表面貼裝型 |
供應(yīng)商器件封裝: | DPAK |
封裝/外殼: | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
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