技術(shù)參數(shù)
品牌: | ON/安森美 |
型號(hào): | FDMA1032CZ |
批號(hào): | 21+ |
封裝: | 原廠封裝 |
數(shù)量: | 9000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | MicroFET-6 |
通道數(shù)量: | 2 Channel |
晶體管極性: | N-Channel, P-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 20 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 37 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 12 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
長(zhǎng)度: | 2 mm |
系列: | FDMA1032CZ |
晶體管類型: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
寬度: | 2 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 16 S, - 11 S |
下降時(shí)間: | 8 ns, 11 ns |
上升時(shí)間: | 8 ns, 11 ns |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 14 ns, 37 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 8 ns, 13 ns |
單位重量: | 40 mg |
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