技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMN6068LK3-13 |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | N/A |
| 數(shù)量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 6A（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）： | 68 毫歐 @ 12A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 3V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | （Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | TO-252-3 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 502pF @ 30V |
| 基本產(chǎn)品編號： | DMN6068 |
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