技術(shù)參數(shù)
品牌: | ROHM |
型號: | HP8K24TB |
批號: | 18+ |
封裝: | 標(biāo)準(zhǔn) |
數(shù)量: | 5339 |
QQ: | |
制造商: | ROHM Semiconductor |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技術(shù): | Si |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | HSOP-8 |
通道數(shù)量: | 2 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 27 A, 80 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 8.8 mOhms, 3 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1.3 V |
Qg-柵極電荷: | 10 nC, 36 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 22 W, 31 W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
封裝: | Cut Tape |
封裝: | Reel |
晶體管類型: | 2 N-Channel |
商標(biāo): | ROHM Semiconductor |
下降時間: | 3.4 ns, 19 ns |
產(chǎn)品類型: | MOSFET |
上升時間: | 4.5 ns, 12 ns |
工廠包裝數(shù)量: | 2500 |
子類別: | MOSFETs |
典型關(guān)閉延遲時間: | 25.5 ns, 59 ns |
典型接通延遲時間: | 9.6 ns, 20 ns |
零件號別名: | HP8K24 |
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