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深圳市茂興偉業(yè)科技有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市茂興偉業(yè)科技有限公司>>集成電路>>其他集成電路>> HP8K24TBHP8K24TB
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:HP8K24TB
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-08-24 14:48:04
  • 瀏覽次數(shù):1

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深圳市茂興偉業(yè)科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:912條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-08-24
  • 最近登錄:2023-08-24
  • 聯(lián)系人:林小姐
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:ROHM型號:HP8K24TB批號:18+封裝:標(biāo)準(zhǔn)數(shù)量:5339QQ:制造商:ROHMSemiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:HSOP-8通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:27A

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ROHM
型號:HP8K24TB
批號:18+
封裝:標(biāo)準(zhǔn)
數(shù)量:5339
QQ:
制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:HSOP-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:27 A, 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.8 mOhms, 3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V
Qg-柵極電荷:10 nC, 36 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:22 W, 31 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:Reel
晶體管類型:2 N-Channel
商標(biāo):ROHM Semiconductor
下降時間:3.4 ns, 19 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:4.5 ns, 12 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:25.5 ns, 59 ns
典型接通延遲時間:9.6 ns, 20 ns
零件號別名:HP8K24
上一篇: LRG6SP-DAEA-1-1-140-R18-Z
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