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深圳市譽興微科技有限公司

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當前位置:深圳市譽興微科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> IRF7311TRPBFIR 場效應管 IRF7311TRPBF MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A

IR 場效應管 IRF7311TRPBF MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:IRF7311TRPBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-09 16:50:44
  • 瀏覽次數(shù):6

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深圳市譽興微科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1115條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-09-03
  • 最近登錄:2023-09-03
  • 聯(lián)系人:金小姐
產(chǎn)品簡介

技術參數(shù)品牌:IR型號:IRF7311TRPBF批號:20+/21+封裝:SOP-8數(shù)量:23500QQ:制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:SO-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:2ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續(xù)漏極電流:6

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:IR
型號:IRF7311TRPBF
批號:20+/21+
封裝:SOP-8
數(shù)量:23500
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:6.6 A
Rds On-漏源導通電阻:30 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV
Qg-柵極電荷:18 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
配置:Dual
高度:1.75 mm
長度:4.9 mm
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:3.9 mm
商標:Infineon / IR
正向跨導 - 最小值:20 S
下降時間:31 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:17 ns
工廠包裝數(shù)量:4000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:38 ns
典型接通延遲時間:8.1 ns
零件號別名:IRF7311TRPBF SP001574720
單位重量:506.600 mg
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