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深圳市新美電子有限公司

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TI 場效應管 CSD17304Q3 MOSFET N-CH 30V 56A 8SON

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:CSD17304Q3
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-17 11:27:28
  • 瀏覽次數(shù):4

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深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1047條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-10-17
  • 最近登錄:2023-10-17
  • 聯(lián)系人:汪賢良
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:TI
型號:CSD17304Q3
批號:18+
封裝:VSON8
數(shù)量:3000
QQ:
描述:MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況:含鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
原廠標準交貨期:6 周
詳細描述:表面貼裝型-N-通道-30V-15A(Ta)-56A(Tc)-2.7W(Ta)-8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
數(shù)據(jù)列表:CSD17304Q3;
標準包裝:2,500
包裝:標準卷帶
零件狀態(tài):有源
類別:分立半導體產(chǎn)品
產(chǎn)品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
系列:NexFET™
其它名稱:296-27509-2
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15A(Ta),56A(Tc)
驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On):3V,8V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(值):7.5 毫歐 @ 17A,8V
不同 Id 時 Vgs(th)(值):1.8V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值):6.6nC @ 4.5V
Vgs(值):+10V,-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值):955pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(值):2.7W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
封裝/外殼:8-PowerTDFN
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