技術(shù)參數(shù)
品牌: | MICROCHIP |
型號: | TP2510N8-G |
批號: | 18+ |
封裝: | SOT-89 |
數(shù)量: | 2000 |
QQ: | |
制造商: | Microchip |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | SOT-89-3 |
晶體管極性: | P-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 480 mA |
Rds On-漏源導通電阻: | 3.5 Ohms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.6 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1.6 mm |
長度: | 4.6 mm |
晶體管類型: | 1 P-Channel |
寬度: | 2.6 mm |
正向跨導 - 最小值: | 300 mS |
下降時間: | 15 ns |
上升時間: | 15 ns |
典型關閉延遲時間: | 20 ns |
典型接通延遲時間: | 10 ns |
單位重量: | 52.800 mg |
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