国产三级在线观看播放,国产农村妇女精品一二区,国产精品久久久,国产肥熟女视频一区二区三区,国产成人精品亚洲777人妖

您好,歡迎來到全球制造網(wǎng)!請 |免費注冊

產(chǎn)品展廳本站服務收藏該商鋪

深圳市新美電子有限公司

免費會員
手機逛
深圳市新美電子有限公司
當前位置:深圳市新美電子有限公司>>集成電路>>其他集成電路>> IRFP4227PBFIR 場效應管 IRFP4227PBF MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg

IR 場效應管 IRFP4227PBF MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:IRFP4227PBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-17 11:32:28
  • 瀏覽次數(shù):6

聯(lián)系我時,請告知來自 全球制造網(wǎng)

深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1047條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-10-17
  • 最近登錄:2023-10-17
  • 聯(lián)系人:汪賢良
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:IR
型號:IRFP4227PBF
批號:19+
封裝:TO-247
數(shù)量:5000
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:65 A
Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:70 nC
最小工作溫度:- 40 C
工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:330 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:20.7 mm
長度:15.87 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:5.31 mm
正向跨導 - 最小值:49 S
下降時間:31 ns
上升時間:20 ns
典型關閉延遲時間:21 ns
典型接通延遲時間:33 ns
零件號別名:SP001560510
單位重量:38 g
上一篇: IDT TSE2004GB20NCG8 DFN8 19+
下一篇: ST 音頻功率放大器 TDA7851F 音頻放大
同類優(yōu)質產(chǎn)品

在線詢價

X

已經(jīng)是會員?點擊這里 [登錄] 直接獲取聯(lián)系方式

會員登錄

X

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏!
標簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個,單個標簽最多10個字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復您~