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深圳市新美電子有限公司

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IR 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFL024ZTRPBF MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRFL024ZTRPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-17 12:37:16
  • 瀏覽次數(shù)：4

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深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1047條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-10-17
  • 最近登錄：2023-10-17
  • 聯(lián)系人：汪賢良
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：IR型號(hào)：IRFL024ZTRPBF批號(hào)：19+封裝：SOT223數(shù)量：5000QQ：制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-4通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：55VId-連續(xù)漏極電流：5

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：IR
型號(hào)：IRFL024ZTRPBF
批號(hào)：19+
封裝：SOT223
數(shù)量：5000
QQ：
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-223-4
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：55 V
Id-連續(xù)漏極電流：5.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：57.5 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V
Qg-柵極電荷：14 nC
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.8 W
配置：Single
高度：1.6 mm
長(zhǎng)度：6.5 mm
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：3.5 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：6.2 S
下降時(shí)間：23 ns
上升時(shí)間：21 ns
零件號(hào)別名：SP001560488
單位重量：112 mg
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