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深圳市新美電子有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市新美電子有限公司>>集成電路>>其他集成電路>> IRFB4019PBFIR 場效應(yīng)管 IRFB4019PBF MOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg

IR 場效應(yīng)管 IRFB4019PBF MOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:IRFB4019PBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-17 12:55:59
  • 瀏覽次數(shù):5

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深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1047條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-10-17
  • 最近登錄:2023-10-17
  • 聯(lián)系人:汪賢良
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:IR
型號:IRFB4019PBF
批號:19+
封裝:TO-220
數(shù)量:5000
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.9 V
Qg-柵極電荷:13 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:80 W
配置:Single
高度:15.65 mm
長度:10 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值:14 S
下降時間:7.8 ns
上升時間:13 ns
典型關(guān)閉延遲時間:12 ns
典型接通延遲時間:7 ns
零件號別名:SP001572370
單位重量:6 g
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