技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRFH5006TRPBF |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | QFN |
| 數(shù)量： | 5000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PQFN-8 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 100 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 4.1 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 69 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 156 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 0.83 mm |
| 長度： | 6 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 5 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 92 S |
| 下降時間： | 12 ns |
| 上升時間： | 13 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 30 ns |
| 典型接通延遲時間： | 9.6 ns |
| 零件號別名： | SP001560332 |
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