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深圳市四方美達(dá)科技有限公司

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SI1022R-T1-GE3 場(chǎng)效應(yīng)管 Vishay 封裝SC-75,SOT-416 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):SI1022R-T1-GE3
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:礦用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-11-25 21:07:25
  • 瀏覽次數(shù):9

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深圳市四方美達(dá)科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1175條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-11-25
  • 最近登錄:2023-11-25
  • 聯(lián)系人:劉小姐
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌:Vishay型號(hào):SI1022R-T1-GE3封裝:SC-75

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:Vishay
型號(hào):SI1022R-T1-GE3
封裝:SC-75,SOT-416
批次:21+
數(shù)量:3000
制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-416-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:330 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.25 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Qg-柵極電荷:0.6 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:250 mW
通道模式:Enhancement
配置:Single
系列:SI1
晶體管類型:1 N-Channel
正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns
典型接通延遲時(shí)間:25 ns
零件號(hào)別名:SI1022R-GE3
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