技術(shù)參數(shù)
品牌: | Vishay |
型號(hào): | SI1022R-T1-GE3 |
封裝: | SC-75,SOT-416 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 3000 |
制造商: | Vishay |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | SOT-416-3 |
晶體管極性: | N-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 60 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 330 mA |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 2.25 Ohms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1 V |
Qg-柵極電荷: | 0.6 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 250 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
系列: | SI1 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 100 mS |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 35 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 25 ns |
零件號(hào)別名: | SI1022R-GE3 |
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