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IRFH7004TRPBF 場效應(yīng)管 Infineon 封裝8-VQFN裸露焊盤 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:IRFH7004TRPBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:礦用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-11-26 10:01:22
  • 瀏覽次數(shù):10

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深圳市四方美達(dá)科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1175條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-11-25
  • 最近登錄:2023-11-25
  • 聯(lián)系人:劉小姐
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:Infineon型號:IRFH7004TRPBF封裝:8-VQFN裸露焊盤批次:21+數(shù)量:4000制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:PQFN-8通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40VId-連續(xù)漏極電流:259ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:Infineon
型號:IRFH7004TRPBF
封裝:8-VQFN裸露焊盤
批次:21+
數(shù)量:4000
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PQFN-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:259 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.1 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:129 nC
Pd-功率耗散:156 W
配置:Single
高度:0.83 mm
長度:6 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:5 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值:117 S
下降時間:49 ns
上升時間:51 ns
典型關(guān)閉延遲時間:73 ns
典型接通延遲時間:15 ns
零件號別名:SP001570954
單位重量:33 mg
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