產品簡介
技術參數(shù)品牌：ON/安森美型號：NTS4101PT1G封裝：SOT323批次：20+數(shù)量：230制造商：onsemi產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-323-3晶體管極性：P-Channel通道數(shù)量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續(xù)漏極電流：1
詳情介紹
技術參數(shù)
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | NTS4101PT1G |
| 封裝： | SOT323 |
| 批次： | 20+ |
| 數(shù)量： | 230 |
| 制造商： | onsemi |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-323-3 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 1.37 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 160 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 6.4 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 329 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 18 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 5.2 S |
| 高度： | 0.85 mm |
| 長度： | 2.1 mm |
| 上升時間： | 14.9 ns |
| 系列： | NTS4101P |
| 晶體管類型： | MOSFET |
| 典型關閉延遲時間： | 6.2 ns |
| 典型接通延遲時間： | 1.24 mm |
| 寬度： | 6 mg |
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