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深圳市福田區(qū)潤寶泰電子商行

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STGWT40H65DFB ST意法原裝IGBT 晶體管

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：STGWT40H65DFB
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-12-01 11:15:59
  • 瀏覽次數(shù)：3

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深圳市福田區(qū)潤寶泰電子商行

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1153條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-12-01
  • 最近登錄：2023-12-01
  • 聯(lián)系人：蘇曉雄
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ST意法型號：STGWT40H65DFB批號：19+封裝：TO-3P數(shù)量：88888QQ：制造商：STMicroelectronics產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術(shù)：Si封裝/箱體：TO-3P安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：650V集電極—射極飽和電壓：1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ST意法
型號：STGWT40H65DFB
批號：19+
封裝：TO-3P
數(shù)量：88888
QQ：
制造商：STMicroelectronics
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
RoHS：是
技術(shù)：Si
封裝 / 箱體：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO：650 V
集電極—射極飽和電壓：1.6 V
柵極/發(fā)射極電壓：20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：80 A
Pd-功率耗散：283 W
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
系列：STGWT40H65DFB
封裝：Tube
集電極連續(xù)電流 Ic：40 A
商標(biāo)：STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流：250 nA
產(chǎn)品類型：IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量：300
子類別：IGBTs
單位重量：6.756 g
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