技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ST意法 |
| 型號(hào)： | STP100N8F6 |
| 批號(hào)： | 19+ |
| 封裝： | TO-220-3 |
| 數(shù)量： | 88888 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類(lèi)： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 80 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 100 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 100 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 176 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標(biāo)名： | STripFET |
| 封裝： | Tube |
| 配置： | Single |
| 系列： | STP100N8F6 |
| 晶體管類(lèi)型： | 1 N-Channel |
| 商標(biāo)： | STMicroelectronics |
| 下降時(shí)間： | 21 ns |
| 產(chǎn)品類(lèi)型： | MOSFET |
| 上升時(shí)間： | 46 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 1000 |
| 子類(lèi)別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 103 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 33 ns |
| 單位重量： | 330 mg |
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