技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ST意法 |
| 型號(hào)： | STB45N60DM2AG |
| 批號(hào)： | 19+ |
| 封裝： | 89 |
| 數(shù)量： | 88888 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | D2PAK-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 34 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 93 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3 V |
| Qg-柵極電荷： | 56 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 250 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 商標(biāo)名： | MDmesh |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Single |
| 高度： | 4.6 mm |
| 長度： | 10.4 mm |
| 產(chǎn)品： | Power MOSFETs |
| 系列： | STB45N60DM2AG |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 類型： | High Voltage |
| 寬度： | 9.35 mm |
| 商標(biāo)： | STMicroelectronics |
| 下降時(shí)間： | 6 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時(shí)間： | 27 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 1000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 85 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 29 ns |
| 單位重量： | 4 g |
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場(chǎng)無關(guān)。