技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ST意法 |
| 型號(hào)： | STD5NM50T4 |
| 批號(hào)： | 19+ |
| 封裝： | 96 |
| 數(shù)量： | 88888 |
| QQ： | |
| 對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： | 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級(jí) （MSL）： | 1（無(wú)限） |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
| 系列： | MDmesh™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）： | 7.5A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（值）： | 800 毫歐 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（值）： | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（值）： | 13nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（值）： | 415pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 100W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場(chǎng)無(wú)關(guān)。