技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY威世 |
| 型號： | SIHG70N60EF-GE3 |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | TO-247AC |
| 數(shù)量： | 88888 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 70A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 38 毫歐 @ 35A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 4V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 功率耗散（值）： | 520W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 供應商器件封裝： | TO-247AC |
| 封裝/外殼： | TO-247-3 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 600 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 380 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 7500 pF @ 100 V |
| 基本產(chǎn)品編號： | SIHG70 |
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