技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Infineon/英飛凌 |
| 型號： | IPA80R650CEXKSA2 |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | 59 |
| 數(shù)量： | 88888 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 8A（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）： | 650 毫歐 @ 5.1A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 3.9V @ 470µA |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 功率耗散（值）： | 33W（Tc） |
| 工作溫度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 整包 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 800 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 45 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1100 pF @ 100 V |
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