技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | IXYS |
| 型號(hào)： | IXTP200N075T |
| 批號(hào)： | 19+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數(shù)量： | 88888 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 200A TO-220 |
| 對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況： | 無(wú)鉛 |
| 濕氣敏感性等級(jí) （MSL）： | 1（無(wú)限） |
| 詳細(xì)描述： | 通孔-N-通道-75V-200A（Tc）-430W（Tc）-TO-220AB |
| 數(shù)據(jù)列表： | IXT(A,P)200N075T; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| 包裝： | 管件 |
| 零件狀態(tài)： | 停產(chǎn) |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 75V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）： | 200A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（值）： | 5 毫歐 @ 25A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（值）： | 160nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（值）： | 6800pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 430W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | TO-220AB |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見(jiàn)，與本站立場(chǎng)無(wú)關(guān)。