技術(shù)參數(shù)
品牌: | INFINEON |
型號: | SPD03N60C3 |
批號: | |
封裝: | TO-252 |
數(shù)量: | 6772 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
晶體管極性: | N-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 3.2 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 1.4 Ohms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 38 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
長度: | 6.5 mm |
系列: | CoolMOS C3 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 6.22 mm |
下降時間: | 12 ns |
上升時間: | 3 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 64 ns |
典型接通延遲時間: | 7 ns |
零件號別名: | SP000308772 SPD3N6C3XT SPD03N60C3BTMA1 |
單位重量: | 330 mg |
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