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FAIRCHILD 場效應(yīng)管 FQP2N60C MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:FQP2N60C
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-12-01 21:15:44
  • 瀏覽次數(shù):9

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深圳市捷嘉盛電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:980條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時(shí)間:2023-12-01
  • 最近登錄:2023-12-01
  • 聯(lián)系人:顏先生
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:FAIRCHILD
型號:FQP2N60C
批號:
封裝:TO220
數(shù)量:5232
QQ:
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.7 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:54 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:QFET
封裝:Tube
高度:16.3 mm
長度:10.67 mm
系列:FQP2N60C
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.7 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S
下降時(shí)間:28 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:25 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:24 ns
典型接通延遲時(shí)間:9 ns
零件號別名:FQP2N60C_NL
單位重量:1.800 g
上一篇: FSC 場效應(yīng)管 FQP7N80C TO-220
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