技術(shù)參數(shù)
品牌: | FAIRCHILD |
型號: | FQP2N60C |
批號: | |
封裝: | TO220 |
數(shù)量: | 5232 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技術(shù): | Si |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 2 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 4.7 Ohms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 30 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 54 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商標(biāo)名: | QFET |
封裝: | Tube |
高度: | 16.3 mm |
長度: | 10.67 mm |
系列: | FQP2N60C |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
類型: | MOSFET |
寬度: | 4.7 mm |
商標(biāo): | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 5 S |
下降時(shí)間: | 28 ns |
產(chǎn)品類型: | MOSFET |
上升時(shí)間: | 25 ns |
工廠包裝數(shù)量: | 1000 |
子類別: | MOSFETs |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 24 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 9 ns |
零件號別名: | FQP2N60C_NL |
單位重量: | 1.800 g |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關(guān)。