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FDV301N 場(chǎng)效應(yīng)管 ON/安森美

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):FDV301N
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-12-03 13:42:15
  • 瀏覽次數(shù):13

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1000條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-12-02
  • 最近登錄:2023-12-02
  • 聯(lián)系人:羅先生
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品概述FDV301N系列N溝道25V4Ohm表面貼裝數(shù)字FET-SOT-23-3增強(qiáng)模式N通道MOSFET,F(xiàn)airchildSemiconductor增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)使用了Fairchild的高單元密度的DMOS技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)

詳情介紹

產(chǎn)品概述

FD V301N 系列 N溝道 25 V 4 Ohm 表面貼裝 數(shù)字 FET - SOT-23-3

增強(qiáng)模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。

Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。

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