在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M）進(jìn)行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳（交流輸入導(dǎo)線）相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu)，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的（一般為0.35℃W/m，為2.5℃W/m），因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大（通常為1.0~10℃/W）。通常情況下，在元器件的相關(guān)參數(shù)表里，生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻（Rja）和當(dāng)元器件自帶一散熱器，通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻（Rjc）。
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣塑料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。
整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出，整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的，在熱源（二極管）的正上方其表面溫度達(dá)到109 ℃，然而在整流橋的中間位置，遠(yuǎn)離熱源處卻只有75 ℃，其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4（其導(dǎo)熱系數(shù)小于3.0W/m.℃），因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗(yàn)證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時，對測溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?，得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說明，在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4，所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時，應(yīng)著重注意該現(xiàn)象，力圖避免該影響對測量或測試結(jié)果產(chǎn)生的影響。
一般而言，對于損耗比較小 lt;3.0W）的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當(dāng)整流橋的損耗不大時，可采用自然冷卻方式來處理。此時，整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面：整流橋的殼體（包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面）和整流橋的四個引腳。通常情況下，整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小，因此在分析時都不考慮通過這四個面（上下與左右表面）的散熱。
代理:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品；
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；
4、建準(zhǔn)全系列風(fēng)機(jī)；
5、CONCEPT及驅(qū)動板；
6、富士通單片機(jī)及其它配套產(chǎn)品；
菲茲電子愿為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品、滿意的服務(wù)。
、誠實(shí)守信是我們的經(jīng)營準(zhǔn)則，
科技創(chuàng)新、互惠互利、共同發(fā)展是我們的共同目標(biāo)
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。