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IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門電壓消除溝道，切斷基電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。



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