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英飛凌IGBT模塊FF800R12KL4C報(bào)價(jià) 上海菲茲

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià): 385
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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 產(chǎn)品類別:其他可控硅/晶閘管
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  • 更新時(shí)間:2022-07-08 19:07:37
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IGBT在關(guān)斷過程中,漏電流的波形變?yōu)閮啥?/p>

詳情介紹
IGBT在關(guān)斷過程中,漏電流的波形變?yōu)閮啥?。因?yàn)镸OSFET關(guān)斷后,PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除,造成漏電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間,td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間,trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而漏電流的關(guān)斷時(shí)間。



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