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簡(jiǎn)介

一、概述

H-1型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀，依據(jù)相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研制開發(fā)，滿足國(guó)家職業(yè)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)（GBZ/T189.3-2018)《工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第3部分，1Hz-100KHz電場(chǎng)和磁場(chǎng)》等相關(guān)測(cè)試要求。

二、儀器基本原理及組成

儀器配有一個(gè)磁場(chǎng)探頭、一個(gè)電場(chǎng)探頭，磁場(chǎng)、電場(chǎng)探頭均采用各種同性設(shè)計(jì)制作，具有全向探測(cè)功能，測(cè)試頻率范圍寬，動(dòng)態(tài)范圍大的特點(diǎn)、均方根值顯示：利用*的數(shù)據(jù)采集、處理、顯示和校準(zhǔn)技術(shù),確保了儀器讀數(shù)清晰、準(zhǔn)確；功能完善，靈敏度高，性能可靠，適用于危害電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試。

測(cè)試儀分別有三維電場(chǎng)探頭、三維磁場(chǎng)探頭、數(shù)據(jù)采集及處理、接口連接及顯示四部分組成，示意圖如下：

電場(chǎng)傳感器

數(shù)據(jù)采集及處理 接口連接線 顯示器

磁場(chǎng)傳感器

三、主要技術(shù)性能指標(biāo)

H-1型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀主要技術(shù)性能指標(biāo)：

1、測(cè)試頻率范圍：1Hz-100KHz

2、電場(chǎng)測(cè)試范圍：10V/m-50kv/m

3、頻響誤差：±3dB

4、各向同性誤差：±1dB

5、測(cè)試誤差：±1dB