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KRI 離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備 Co-sputter

2022年09月15日 12:37:24      來(lái)源:伯東企業(yè)(上海)有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái)      閱讀量:23

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KRI 離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備 Co-sputter
上海伯東代理美國(guó) KRI 考夫曼離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備 Co-sputter 實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的復(fù)合式薄膜!
磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料, 通過(guò)分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來(lái)控制薄膜質(zhì)量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時(shí)間.
特殊系統(tǒng)設(shè)計(jì)的磁控共濺鍍腔提供了精準(zhǔn)控制多個(gè)磁控濺鍍的制程條件, 為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.
KRI 離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備  Co-sputter
濺鍍腔中, 有單片和多片式的 loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時(shí)間, 進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時(shí)間.
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----------------------------------- 上海伯東美國(guó) KRI 離子源安裝于濺鍍腔中 -------------------------------------

通過(guò)使用上海伯東 KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺(tái)部分可獨(dú)立施打偏壓, 對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能.

上海伯東美國(guó) KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng). 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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