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KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System

2022年09月15日 12:45:44      來(lái)源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái)      閱讀量：39

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KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中方法. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法常見(jiàn). 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法, 以電流通過(guò)其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過(guò)真空室的溫度時(shí), 材??料將開(kāi)始蒸發(fā)并沉積到基板上并且在于熱蒸發(fā)時(shí)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于 +/- 3％. 上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備
KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備
----------- 金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System ----------

KRI 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽(yáng)極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 陽(yáng)極

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直徑

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

燈絲


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