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KRI 離子源應(yīng)用于有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV

2022年09月15日 12:50:33      來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺      閱讀量:34

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KRI 離子源應(yīng)用于有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV
有機(jī)金屬熱沉積系統(tǒng)是一種熱蒸發(fā)的方式, 用于將有機(jī)或金屬材料沉積到基板表面上.該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且 KRI 離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 有機(jī)材料熱沉積系統(tǒng)使用高精準(zhǔn)熱蒸發(fā)源作為加熱源, 并使用金屬, 石英, 陶瓷或 PBN 坩堝來容納有機(jī)材料以及 PID 控制器來控制其沉積速率. 該系統(tǒng)通常用于有機(jī)電子研究領(lǐng)域, 例如 OPV, OLED, OPD...
KRI 離子源應(yīng)用于有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV
------ 有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV -----

上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
KRI射頻離子源

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


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