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一個電荷耦合器件（CCD）的量子效率的光電響應創(chuàng)建和成功地讀出由設(shè)備的每個入射光子的電子 - 空穴對的數(shù)目定義為一個屬性。 此屬性是特別重要的應用，如熒光顯微鏡發(fā)射光子的波長在375-550納米范圍內(nèi)，往往是具有相對高的硅的吸收系數(shù)低光成像。 標準的CCD，通過在柵電極和氧化物覆蓋在設(shè)備前面的，它們被照亮的，更敏感的綠色和紅色的波長550和900納米之間的區(qū)域中。

的CCD的光譜靈敏度不同的一個簡單的硅光電二極管檢測器，因為CCD表面具有用于電荷轉(zhuǎn)移，多晶硅柵電極，薄膜二氧化硅和氮化硅鈍化層所屏蔽的信道。 這些結(jié)構(gòu)中，用于傳輸從成像區(qū)域的電荷從濕度和靜電放電保護CCD，吸收較短的波長（450納米和更低），該設(shè)備減少藍色的靈敏度。 低于600納米的多晶硅的透射率開始降低，材料變得基本上是不透明的，在400納米的光子，但吸收取決于柵極的厚度和CCD表面的薄膜上的光通過干涉效應。 隔行傳輸CCD具有偏離標準的多晶硅柵結(jié)構(gòu)的一個因素，減少干擾的影響，并產(chǎn)生一個更理想和更均勻的光譜響應的光電二極管。 這些設(shè)備也通常配有垂直antibloom下水道產(chǎn)生減少響應于較長波長的光子。 高于700納米的光子穿透深入到硅襯底接近埋地排水，他們有一個更大的機會，釋放出電子，將擴散到漏，并立即刪除。 量子效率也取決于柵極電壓，更低的電壓產(chǎn)生小的耗盡區(qū)，反之亦然。

傳統(tǒng)的膠片乳劑在可見光光譜的藍色區(qū)域的過敏，在由CCD的一個特點，往往導致在膠片上拍攝的圖像，并用CCD記錄之間的顏色差異顯示的響應。 像素的幾何形狀的更小的增長，作為藍色傳感器的響應的藍色光吸收問題的增加迅速減小像素大小。

一個典型的一個標準的CCD的光譜靈敏度曲線示于圖1（標準CCD），它應該指出的是，一個單獨的硅光電二極管的峰值量子效率為40％，顯著低于。 漣漪在頻譜發(fā)生，因為從CCD表面的薄膜干涉效應。 *近已增加與一些科學級的CCD（藍加曲線圖1），通過使用的開拓柵極材料和專有的熒光體涂料的藍綠色的靈敏度大幅改善，通道的透明度。 這種類型的涂料（LUMOGEN）直接存入到陣列表面發(fā)光短的波長（120到450納米）高能量的紫外線和可見光激發(fā)時，在500至580納米的地區(qū)。 嵌入在涂層內(nèi)的熒光體產(chǎn)生的二次在所有方向上發(fā)射的熒光，只有那些進入陣列的光子被吸收，得到約15％到20％的量子效率。 該涂料對可見光透明的，因此它們不會影響*過450納米的波長處吸收光子，產(chǎn)生一個明顯的光譜響應范圍幾乎1000納米（120至1100納米）。

為了進行比較，圖1還示出對于人眼的光譜靈敏度曲線，對應的明和暗視覺，所產(chǎn)生的視錐細胞和桿，分別。峰值靈敏度是綠色（白晝暗光在555納米和507納米）與明視覺的3％和10％暗適應*大量子效率。 從這個數(shù)據(jù)，很明顯，我們的眼睛相比，科學級CCD相機具有更廣泛的光譜靈敏度與高得多的量子效率。

柵極溝道的結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的損失，消除了在背照式CCD。 在本設(shè)計中，光落到后面的CCD的區(qū)域中，已通過蝕刻減薄，直到它是透明的（對應于約10至15微米）的厚度。 也示于圖1和圖2（背面減薄，背照式CCD），將得到的光譜靈敏度曲線，示出使用此配置，可實現(xiàn)高量子效率。 然而，早細化結(jié)果在一個微妙的，相對昂貴的傳感器，**為止，只有采用科學級CCD相機。

防反射涂層中使用的薄型背照式CCD的提高量子效率，但它是不可能產(chǎn)生的涂層在整個可見光范圍內(nèi)是有效的。 增加在較長的波長的光譜響應的涂料往往會產(chǎn)生較低的波長的光子的吸收相應減少，所以研究正在進行的生產(chǎn)在整個可見光光譜是有效的防反射涂層。

光生伏打效應，其中在光子的形式的光能量被轉(zhuǎn)換成電子的潛力，是依賴于廣泛的條件。 當在400至1100納米范圍的可見光和紅外光的光子碰撞的位置的CCD基板內(nèi)的硅原子，電子從價帶激發(fā)到導帶的光子之間的反應和硅軌道電子。 有許多因素決定，包括的吸收系數(shù)，光子復合壽命，擴散長度，和CCD表面上的覆蓋材料的化學和物理性質(zhì)的光能量由量子電子產(chǎn)生的電荷的量。 在硅中的光子的吸收系數(shù)是隨波長變化，到硅襯底中，比具有更短的波長的長波長（大于800納米）的光子穿透更深。

在光子的能量大于帶隙能量的情況下，電子被激發(fā)到導帶的概率較高，因而成為移動。 這種相互作用也被稱為光電效應 ，取決于臨界波長以上的光子有足夠的能量，以激發(fā)或促進位于價帶中的電子產(chǎn)生一個電子-空穴對。 當光子*過臨界波長（通常*過1100納米），帶隙能量大于內(nèi)在的光子能量，光子穿過所述硅襯底。 表1列出了一個典型的CCD 90％的入射的光子被吸收的深度（微米）。

無論是在耗盡區(qū)或內(nèi)的散裝材料（硅）的CCD基板450和700納米之間的波長的光子被吸收。 吸收到耗盡區(qū)將有接近100％，而進入基板中解放出來的電子遇到一個三維隨機游走和任一重組的耗盡區(qū)到與孔或彌漫性的光子的量子效率。 對于那些電子的擴散長度可忽略不計，量子效率是非常低的，但具有高的擴散長度以及*終達到一個充電。

專為科學應用在數(shù)碼相機使用的CCD陣列被密封在一個受保護的環(huán)境，以減少工件，提高響應，并延長CCD生活。 入射的光子，通常必須通過在玻璃或石英窗到達像素陣列和輸入的硅襯底。 窗口表面的反射損失發(fā)生在所有波長的光子，光子透過玻璃的透光率（但不石英）急劇下降，低于400納米的波長。 科學級CCD傳感器是專為需要高靈敏度和使用石英涂層來降低反射所有波長的應用。