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“傳感器測試關(guān)鍵共性技術(shù)研究”項目突破了高性能傳感器“試驗裝置高效高壓多波形控制”、“批量檢測系統(tǒng)弱信號檢測”、“可靠性強化試驗”等關(guān)鍵技術(shù)，在硅電容傳感器批量測試系統(tǒng)的“夾具設(shè)計”和“補償方法”、傳感器高效高壓試驗裝置的“復合波形控制”等方面具有**性。成果主要性能指標和關(guān)鍵技術(shù)達到水平，對推動行業(yè)技術(shù)進步，增強產(chǎn)品市場競爭力，具有重要的支撐作用。

“光密度連續(xù)變化濾光器件”項目開展了中性漸變薄膜的設(shè)計與制造工藝研究，研制出線性度和中性度良好的光密度連續(xù)變化濾光器件，線性度、中性度均達到±5%。解決了光密度線性漸變薄膜設(shè)計、中性薄膜鍍制、掩膜機構(gòu)設(shè)計及掩膜機構(gòu)運動控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，在線性迭代擬合調(diào)速和分段調(diào)速等方面具有**性。研制開發(fā)的濾光器件，*******，并已實現(xiàn)批量生產(chǎn)，主要性能指標達到水平。

“SOI壓力傳感器制造工藝研究”項目開展了SOI壓力傳感器制造工藝的研究，建起具有自主技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán)支撐的高溫SOI壓力傳感器制造技術(shù)平臺，實現(xiàn)耐高溫SOI壓力傳感器批產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性。采用表面摻雜濃度控制方法解決了低漂移技術(shù)難題，使敏感器件的穩(wěn)定性達到0.005%F.S./8h；采用多層薄膜低應(yīng)力匹配技術(shù)，實現(xiàn)敏感芯片重復穩(wěn)定生產(chǎn)；采用Cr–Ni–Au復合耐高溫電極制備技術(shù)，實現(xiàn)了敏感芯片在300℃下穩(wěn)定工作。項目成果*******，主要性能指標達到水平。鑒定委員會一致同意三個項目通過成果鑒定。

專家組對沈陽儀表科學研究院項目組織實施管理給予了較高評價，對項目完成的質(zhì)量給予了充分地肯定，并建議在現(xiàn)有基礎(chǔ)上不斷地發(fā)揮自身優(yōu)勢，進一步推廣應(yīng)用并擴展應(yīng)用領(lǐng)域。