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當(dāng)前位置：北京首天偉業(yè)科技有限公司>>光電與顯示器件>>光耦合器件>> 2N7002DW-7-FDIODES 場(chǎng)效應(yīng)管 2N7002DW-7-F MOSFET 60V 200mW

DIODES 場(chǎng)效應(yīng)管 2N7002DW-7-F MOSFET 60V 200mW

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià)： ￥ 54
訂  貨  量： ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：2N7002DW-7-F
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：光耦合器件
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2022-09-19 12:50:39
  • 瀏覽次數(shù)：36

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1082條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2016-03-09
  • 最近登錄：2022-09-19
  • 聯(lián)系人：劉總
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：DIODES
型號(hào)：2N7002DW-7-F
批號(hào)：20+
封裝：SOT-363-6
數(shù)量：30000
QQ：
制造商：Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-363-6
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：70 V
Id-連續(xù)漏極電流：230 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：7.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓：5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：0.4 W
配置：Dual
通道模式：Enhancement
高度：1 mm
長(zhǎng)度：2.2 mm
系列：2N7002DW
晶體管類型：2 N-Channel
寬度：1.35 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：80 mS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：11 ns
典型接通延遲時(shí)間：7 ns
單位重量：6 mg
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