技術(shù)參數(shù)
品牌: | ST |
型號: | STFW3N150 |
批號: | 20+ |
封裝: | TO-3PF-3 |
數(shù)量: | 30000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風格: | Through Hole |
封裝 / 箱體: | TO-3PF-3 |
晶體管極性: | N-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 1.5 kV |
Id-連續(xù)漏極電流: | 2.5 A |
Rds On-漏源導通電阻: | 9 Ohms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 3 V |
Qg-柵極電荷: | 29.3 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 63 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
系列: | STFW3N150 |
晶體管類型: | 1 N-Channel Power MOSFET |
正向跨導 - 最小值: | 2.6 S |
下降時間: | 61 ns |
上升時間: | 47 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 45 ns |
典型接通延遲時間: | 24 ns |
單位重量: | 7 g |
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