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當前位置:北京首天偉業(yè)科技有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> STFW3N150ST 場效應管 STFW3N150 MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

ST 場效應管 STFW3N150 MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

產(chǎn)品二維碼
參   考   價: 57
訂  貨  量: ≥1臺
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:STFW3N150
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:絕緣柵雙極晶體管/IGBT
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-09-19 15:48:44
  • 瀏覽次數(shù):8

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北京首天偉業(yè)科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1082條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2016-03-09
  • 最近登錄:2022-09-19
  • 聯(lián)系人:劉總
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:ST型號:STFW3N150批號:20+封裝:TO-3PF-3數(shù)量:30000QQ:制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風格:ThroughHole封裝/箱體:TO-3PF-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ST
型號:STFW3N150
批號:20+
封裝:TO-3PF-3
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-3PF-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A
Rds On-漏源導通電阻:9 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:29.3 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:63 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
系列:STFW3N150
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
正向跨導 - 最小值:2.6 S
下降時間:61 ns
上升時間:47 ns
典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
典型接通延遲時間:24 ns
單位重量:7 g
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